Part. 01 一、活动简介 2024年11月28日，2024年复旦大学相辉学术文化节学科交叉论坛第二季第六期于复旦大学江湾校区交叉学科一号楼B1006圆满举行。中国科学技术大学龙世兵教授、北京大学蔡一茂教授、北京科技大学张铮教授和清华大学吴华强教授分别为我们带来了“氧化镓半导体器件”、“面向新型计算范式的...
2025-02-13
技术创新铸就辉煌：氮化镓材料推动5G芯片飞跃随着时代的发展，我们迎来了全新的通信技术时代 - 5G。而在这场技术革命中，氮化镓材料却扮演着至关重要的角色，推动着5G芯片的飞速发展。第一层次：氮化镓材料的特性氮化镓是具有极高电子迁移率（Electron Mobility）的宽禁带半导体材料，其电子迁移率是硅材料的几十倍甚...
2024-12-29欢迎关注，了解更多资讯
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